Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, DIODES INCORPORATED - DMN63D8L-7

Distribuie
  • 0,90lei

  • Fără TVA:0,75lei

  • 10 sau mai multe 0,60lei
  • 100 sau mai multe 0,31lei
  • 549 sau mai multe 0,16lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, DIODES INCORPORATED - DMN63D8L-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.35W

Curent drena: 0.3A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT23
Curent drena 0.3A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 3.8Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha