Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23A-3, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - AO3160E

Distribuie
  • 1,96lei

  • Fără TVA:1,65lei

  • 25 sau mai multe 1,15lei
  • 100 sau mai multe 0,90lei
  • 235 sau mai multe 0,85lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2365 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23A-3, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - AO3160E

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: SOT23A-3

Montare: SMD

Putere disipata: 0.89W

Curent drena: 0.03A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT23A-3
Curent drena 0.03A
Incarcatura poarta 0.9nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 500Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha