Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23-3, ON SEMICONDUCTOR - MGSF1N02LT1G

Distribuie
  • 4,16lei

  • Fără TVA:3,50lei

  • 10 sau mai multe 2,53lei
  • 82 sau mai multe 1,10lei
  • 190 sau mai multe 1,04lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1682 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23-3, ON SEMICONDUCTOR - MGSF1N02LT1G

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT23-3

Montare: SMD

Putere disipata: 0.4W

Curent drena: 0.75A

Caracteristici
Carcasa SOT23-3
Curent drena 0.75A
Incarcatura poarta 6nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 90mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Tranzistor

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha