Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, ON SEMICONDUCTOR - FDT86113LZ

Distribuie
  • 9,25lei

  • Fără TVA:7,64lei

  • 5 sau mai multe 6,31lei
  • 10 sau mai multe 5,58lei
  • 26 sau mai multe 3,75lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2166 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, ON SEMICONDUCTOR - FDT86113LZ

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 2.2W

Curent drena: 3.3A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent drena 3.3A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 189mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha