Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, ON SEMICONDUCTOR - FDT1600N10ALZ

Distribuie
  • 5,72lei

  • Fără TVA:4,80lei

  • 10 sau mai multe 3,85lei
  • 34 sau mai multe 2,73lei
  • 77 sau mai multe 2,58lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (3259 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, ON SEMICONDUCTOR - FDT1600N10ALZ

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 10.42W

Curent drena: 3.5A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent drena 3.5A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 160mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha