Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP299H6327XUSA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122016
-
5,56lei
- Fără TVA:4,67lei
-
- 11 sau mai multe 3,21lei
- 62 sau mai multe 3,05lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP299H6327XUSA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 1.8W
Curent drena: 0.4A
Caracteristici
| Carcasa | SOT223 |
| Curent drena | 0.4A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4Ω |
| Tensiune drena-sursa | 500V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |