Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP299H6327XUSA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 1.8W

Curent drena: 0.4A

Caracteristici

Carcasa	SOT223
Curent drena	0.4A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	4Ω
Tensiune drena-sursa	500V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare