Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP298H6327XUSA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122015
-
4,76lei
- Fără TVA:3,93lei
-
- 9 sau mai multe 3,17lei
- 65 sau mai multe 3,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP298H6327XUSA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 400V
Capsula: SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 1.8W
Curent drena: 0.5A
Caracteristici
| Carcasa | SOT223 |
| Curent drena | 0.5A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3Ω |
| Tensiune drena-sursa | 400V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |