Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP297H6327XTSA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122014
-
6,25lei
- Fără TVA:5,25lei
-
- 10 sau mai multe 4,82lei
- 38 sau mai multe 2,50lei
- 87 sau mai multe 2,36lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (643 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP297H6327XTSA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 1.8W
Curent drena: 0.66A
Caracteristici
Carcasa | SOT223 |
Curent drena | 0.66A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.8Ω |
Tensiune drena-sursa | 200V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |