Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP296L6327
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122012
-
5,39lei
- Fără TVA:4,53lei
-
- 3 sau mai multe 2,61lei
- 10 sau mai multe 2,33lei
- 18 sau mai multe 2,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP296L6327
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 1.8W
Curent drena: 1.1A
Caracteristici
Carcasa | SOT223 |
Curent drena | 1.1A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.7Ω |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |