Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN6A09GTA

Distribuie
  • 7,89lei

  • Fără TVA:6,63lei

  • 10 sau mai multe 6,41lei
  • 20 sau mai multe 4,71lei
  • 45 sau mai multe 4,46lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (818 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN6A09GTA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 2W

Curent drena: 6.2A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent drena 6.2A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.06Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha