Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN6A08GTA

Distribuie
  • 4,84lei

  • Fără TVA:4,07lei

  • 10 sau mai multe 3,60lei
  • 37 sau mai multe 2,52lei
  • 86 sau mai multe 2,38lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN6A08GTA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 2W

Curent drena: 2.8A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent drena 2.8A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.15Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha