Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN10A11GTA

Distribuie
  • 6,02lei

  • Fără TVA:5,06lei

  • 5 sau mai multe 3,12lei
  • 25 sau mai multe 2,75lei
  • 38 sau mai multe 2,40lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (339 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN10A11GTA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 2W

Curent drena: 1.9A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent drena 1.9A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.45Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha