Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN10A11GTA

Distribuie
  • 7,43lei

  • Fără TVA:6,24lei

  • 10 sau mai multe 4,23lei
  • 39 sau mai multe 2,41lei
  • 90 sau mai multe 2,28lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (315 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN10A11GTA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 2W

Curent drena: 1.9A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent drena 1.9A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.45Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha