Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - DMN3032LE-13

Distribuie
  • 3,86lei

  • Fără TVA:3,25lei

  • 10 sau mai multe 3,24lei
  • 68 sau mai multe 1,35lei
  • 157 sau mai multe 1,28lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2364 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - DMN3032LE-13

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 1.8W

Curent drena: 4.1A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent de drena in impuls 25A
Curent drena 4.1A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.029Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha