Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4162DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123999
-
8,83lei
- Fără TVA:7,42lei
-
- 10 sau mai multe 5,68lei
- 43 sau mai multe 2,19lei
- 99 sau mai multe 2,07lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2451 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4162DY-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 3.2W
Curent drena: 15.4A
Caracteristici
| Carcasa | SO8 |
| Curent drena | 15.4A |
| Incarcatura poarta | 8.8nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 7.9mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 30V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |