Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4162DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123999
-
9,12lei
- Fără TVA:7,54lei
-
- 5 sau mai multe 7,24lei
- 10 sau mai multe 6,30lei
- 43 sau mai multe 2,35lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (667 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4162DY-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 3.2W
Curent drena: 15.4A
Caracteristici
| Carcasa | SO8 |
| Curent drena | 15.4A |
| Incarcatura poarta | 8.8nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 7.9mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 30V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |