Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4134DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123998
-
5,72lei
- Fără TVA:4,80lei
-
- 10 sau mai multe 3,86lei
- 50 sau mai multe 3,33lei
- 57 sau mai multe 1,60lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (6969 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4134DY-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 3.2W
Curent drena: 11.2A
Caracteristici
| Carcasa | SO8 |
| Curent drena | 11.2A |
| Incarcatura poarta | 7.3nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 14mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 30V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |