Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4062DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123995
-
8,69lei
- Fără TVA:7,30lei
-
- 5 sau mai multe 7,73lei
- 14 sau mai multe 6,79lei
- 25 sau mai multe 6,77lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4062DY-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 25.7A
Caracteristici
Carcasa | SO8 |
Curent drena | 25.7A |
Incarcatura poarta | 18.8nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.2mΩ |
Subtip ambalaj | bandă, rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |