Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4062DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123995
-
12,55lei
- Fără TVA:10,55lei
-
- 10 sau mai multe 9,58lei
- 14 sau mai multe 6,91lei
- 32 sau mai multe 6,55lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4062DY-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 25.7A
Caracteristici
| Carcasa | SO8 |
| Curent drena | 25.7A |
| Incarcatura poarta | 18.8nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.2mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |