Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4056DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123994
-
6,53lei
- Fără TVA:5,40lei
-
- 10 sau mai multe 5,02lei
- 29 sau mai multe 3,29lei
- 68 sau mai multe 3,12lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4056DY-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 3.6W
Curent drena: 11.1A
Caracteristici
| Carcasa | SO8 |
| Curent de drena in impuls | 70A |
| Curent drena | 11.1A |
| Incarcatura poarta | 29.5nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 23mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |