Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS89161LZ

Distribuie
  • 9,50lei

  • Fără TVA:7,99lei

  • 10 sau mai multe 7,79lei
  • 17 sau mai multe 5,36lei
  • 40 sau mai multe 5,06lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS89161LZ

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 31W

Curent drena: 2.7A

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent drena 2.7A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 182mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha