Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS6690AS

Distribuie
  • 5,81lei

  • Fără TVA:4,88lei

  • 5 sau mai multe 3,66lei
  • 25 sau mai multe 3,20lei
  • 32 sau mai multe 2,61lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS6690AS

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 2.5W

Curent drena: 10A

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent de drena in impuls 50A
Curent drena 10A
Incarcatura poarta 23nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 12mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha