Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS3572

Distribuie
  • 12,20lei

  • Fără TVA:10,08lei

  • 5 sau mai multe 11,07lei
  • 10 sau mai multe 10,25lei
  • 17 sau mai multe 5,80lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS3572

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 2.5W

Curent drena: 5.6A

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent drena 5.6A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 32mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha