Tranzistor N-MOSFET, capsula SC89, ON SEMICONDUCTOR - FDY302NZ

Distribuie
  • 1,28lei

  • Fără TVA:1,07lei

  • 50 sau mai multe 1,13lei
  • 110 sau mai multe 0,80lei
  • 250 sau mai multe 0,76lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SC89, ON SEMICONDUCTOR - FDY302NZ

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SC89

Montare: SMD

Putere disipata: 0.625W

Curent drena: 0.6A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SC89
Curent drena 0.6A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±12V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha