Tranzistor N-MOSFET, capsula SC70, VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123967
-
4,25lei
- Fără TVA:3,51lei
-
- 10 sau mai multe 3,06lei
- 50 sau mai multe 2,06lei
- 89 sau mai multe 1,08lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SC70, VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 20V
Capsula: SC70
Montare: SMD
Putere disipata: 0.8W
Curent drena: 1.3A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | SC70 |
| Curent de drena in impuls | 4A |
| Curent drena | 1.3A |
| Incarcatura poarta | 2.5nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 198mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 20V |
| Tensiune poarta-sursa | ±8V |
| Tip produs | Tranzistor |