Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ858AEP-T1_GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124101
Distribuie
  • 8,98lei

  • Fără TVA:7,55lei

  • 10 sau mai multe 6,39lei
  • 25 sau mai multe 3,83lei
  • 57 sau mai multe 3,63lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ858AEP-T1_GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PowerPAK® SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 48W

Curent drena: 33A

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent drena 33A
Incarcatura poarta 36nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 6.3mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha