Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ858AEP-T1_GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T124101
-
9,02lei
- Fără TVA:7,46lei
-
- 10 sau mai multe 6,22lei
- 24 sau mai multe 3,99lei
- 56 sau mai multe 3,77lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ858AEP-T1_GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PowerPAK® SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 48W
Curent drena: 33A
Caracteristici
| Carcasa | PowerPAK® SO8 |
| Curent drena | 33A |
| Incarcatura poarta | 36nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 6.3mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 40V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |