Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ858AEP-T1_GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T124101
-
8,98lei
- Fără TVA:7,55lei
-
- 10 sau mai multe 6,39lei
- 25 sau mai multe 3,83lei
- 57 sau mai multe 3,63lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ858AEP-T1_GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PowerPAK® SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 48W
Curent drena: 33A
Caracteristici
Carcasa | PowerPAK® SO8 |
Curent drena | 33A |
Incarcatura poarta | 36nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 6.3mΩ |
Subtip ambalaj | bandă, rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 40V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |