Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ858AEP-T1_GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124101
Distribuie
  • 5,80lei

  • Fără TVA:4,87lei

  • 5 sau mai multe 4,98lei
  • 24 sau mai multe 3,83lei
  • 56 sau mai multe 3,63lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ858AEP-T1_GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PowerPAK® SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 48W

Curent drena: 33A

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent drena 33A
Incarcatura poarta 36nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 6.3mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha