Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124058
Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: PowerPAK® SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 66.6W

Curent drena: 60A

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent de drena in impuls 100A
Curent drena 60A
Incarcatura poarta 86nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 5.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha