Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR414DP-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T124051
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR414DP-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PowerPAK® SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 53W
Curent drena: 50A
Caracteristici
Carcasa | PowerPAK® SO8 |
Curent de drena in impuls | 70A |
Curent drena | 50A |
Incarcatura poarta | 117nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 28mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 40V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |