Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR414DP-T1-GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124051
Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR414DP-T1-GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PowerPAK® SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 53W

Curent drena: 50A

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent de drena in impuls 70A
Curent drena 50A
Incarcatura poarta 117nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 28mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha