Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7898DP-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T124035
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7898DP-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 150V
Capsula: PowerPAK® SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 1.2W
Curent drena: 3A
Caracteristici
| Carcasa | PowerPAK® SO8 |
| Curent de drena in impuls | 25A |
| Curent drena | 3A |
| Incarcatura poarta | 21nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 85mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 150V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |