Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7850DP-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T124032
-
14,12lei
- Fără TVA:11,87lei
-
- 10 sau mai multe 9,58lei
- 17 sau mai multe 5,59lei
- 38 sau mai multe 5,31lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2992 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7850DP-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PowerPAK® SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 0.9W
Curent drena: 6.2A
Caracteristici
Carcasa | PowerPAK® SO8 |
Curent de drena in impuls | 40A |
Curent drena | 6.2A |
Incarcatura poarta | 27nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 22mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |