Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7456DP-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T124026
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7456DP-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PowerPAK® SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 1W
Curent drena: 5.7A
Caracteristici
| Carcasa | PowerPAK® SO8 |
| Curent de drena in impuls | 40A |
| Curent drena | 5.7A |
| Incarcatura poarta | 44nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 25mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |