Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMT8012LFG-7

Distribuie
  • 6,10lei

  • Fără TVA:5,04lei

  • 10 sau mai multe 4,96lei
  • 29 sau mai multe 3,41lei
  • 66 sau mai multe 3,22lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMT8012LFG-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: PowerDI®3333-8

Montare: SMD

Putere disipata: 2.2W

Curent drena: 30A

Caracteristici
Carcasa PowerDI®3333-8
Curent drena 30A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.022Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha