Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL80HS120
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T123375
-
5,00lei
- Fără TVA:4,13lei
-
- 10 sau mai multe 3,79lei
- 25 sau mai multe 3,41lei
- 33 sau mai multe 2,93lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL80HS120
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PQFN2X2
Montare: SMD
Putere disipata: 5.8W
Curent drena: 9A
Caracteristici
| Carcasa | PQFN2X2 |
| Curent drena | 9A |
| Incarcatura poarta | 4.7nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 32mΩ |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |