Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL80HS120
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T123375
-
5,31lei
- Fără TVA:4,46lei
-
- 10 sau mai multe 3,98lei
- 25 sau mai multe 3,54lei
- 33 sau mai multe 2,86lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL80HS120
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PQFN2X2
Montare: SMD
Putere disipata: 5.8W
Curent drena: 9A
Caracteristici
Carcasa | PQFN2X2 |
Curent drena | 9A |
Incarcatura poarta | 4.7nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 32mΩ |
Subtip ambalaj | rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 80V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |