Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL80HS120

Distribuie
  • 4,32lei

  • Fără TVA:3,63lei

  • 10 sau mai multe 3,45lei
  • 33 sau mai multe 2,73lei
  • 77 sau mai multe 2,59lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL80HS120

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: PQFN2X2

Montare: SMD

Putere disipata: 5.8W

Curent drena: 9A

Caracteristici
Carcasa PQFN2X2
Curent drena 9A
Incarcatura poarta 4.7nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 32mΩ
Subtip ambalaj rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha