Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL100HS121
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T123356
-
6,31lei
- Fără TVA:5,31lei
-
- 10 sau mai multe 4,40lei
- 33 sau mai multe 2,80lei
- 76 sau mai multe 2,65lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL100HS121
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PQFN2X2
Montare: SMD
Putere disipata: 5.8W
Curent drena: 7.8A
Caracteristici
| Carcasa | PQFN2X2 |
| Curent drena | 7.8A |
| Incarcatura poarta | 3.7nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 42mΩ |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |