Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R2K1C6SATMA1

Distribuie
  • 5,20lei

  • Fără TVA:4,37lei

  • 3 sau mai multe 3,86lei
  • 10 sau mai multe 3,10lei
  • 34 sau mai multe 2,74lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R2K1C6SATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: PG-VSON-4

Montare: SMD

Putere disipata: 21.6W

Curent drena: 2.3A

Caracteristici
Carcasa PG-VSON-4
Curent drena 2.3A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 2.1Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha