Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R2K1C6SATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122908
-
5,20lei
- Fără TVA:4,37lei
-
- 3 sau mai multe 3,86lei
- 10 sau mai multe 3,10lei
- 34 sau mai multe 2,74lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R2K1C6SATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-VSON-4
Montare: SMD
Putere disipata: 21.6W
Curent drena: 2.3A
Caracteristici
Carcasa | PG-VSON-4 |
Curent drena | 2.3A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.1Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |