Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ900N20NS3GATMA1

Distribuie
  • 10,48lei

  • Fără TVA:8,80lei

  • 10 sau mai multe 8,69lei
  • 13 sau mai multe 7,34lei
  • 29 sau mai multe 6,93lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (975 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ900N20NS3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 200V

Capsula: PG-TSDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 62.5W

Curent drena: 15.2A

Caracteristici
Carcasa PG-TSDSON-8
Curent drena 15.2A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 90mΩ
Tensiune drena-sursa 200V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha