Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ12DN20NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122130
-
9,20lei
- Fără TVA:7,74lei
-
- 10 sau mai multe 7,61lei
- 22 sau mai multe 4,29lei
- 50 sau mai multe 4,06lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ12DN20NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: PG-TSDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 50W
Curent drena: 11.3A
Caracteristici
Carcasa | PG-TSDSON-8 |
Curent drena | 11.3A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.125Ω |
Tensiune drena-sursa | 200V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |