Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC190N15NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121946
-
11,03lei
- Fără TVA:9,27lei
-
- 3 sau mai multe 10,98lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1751 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC190N15NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 150V
Capsula: PG-TSDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 50A
Caracteristici
Carcasa | PG-TSDSON-8 |
Curent drena | 50A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 19mΩ |
Tensiune drena-sursa | 150V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |