Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263, INFINEON TECHNOLOGIES - SPB11N60C3ATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263, INFINEON TECHNOLOGIES - SPB11N60C3ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO263

Montare: SMD

Putere disipata: 125W

Curent drena: 7A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263
Curent de drena in impuls 33A
Curent drena 7A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 380mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha