Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB039N10N3GATMA1

Distribuie
  • 13,50lei

  • Fără TVA:11,15lei

  • 9 sau mai multe 10,77lei
  • 21 sau mai multe 10,19lei
  • 500 sau mai multe 10,17lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB039N10N3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: PG-TO263-7

Montare: SMD

Putere disipata: 214W

Curent drena: 160A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-7
Curent drena 160A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 3.9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha