Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB039N10N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122654
-
18,27lei
- Fără TVA:15,35lei
-
- 7 sau mai multe 13,74lei
- 16 sau mai multe 13,01lei
- 100 sau mai multe 12,33lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB039N10N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 214W
Curent drena: 160A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-7 |
Curent drena | 160A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.9mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |