Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB039N10N3GATMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: PG-TO263-7

Montare: SMD

Putere disipata: 214W

Curent drena: 160A

Caracteristici

Carcasa	PG-TO263-7
Curent drena	160A
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	3.9mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	100V
Tensiune poarta-sursa	±20V

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare