Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB030N08N3GATMA1

Distribuie
  • 18,11lei

  • Fără TVA:15,22lei

  • 5 sau mai multe 15,58lei
  • 9 sau mai multe 11,03lei
  • 19 sau mai multe 10,45lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB030N08N3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: PG-TO263-7

Montare: SMD

Putere disipata: 214W

Curent drena: 160A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-7
Curent drena 160A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha