Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB020N04NGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122633
-
12,53lei
- Fără TVA:10,53lei
-
- 5 sau mai multe 10,76lei
- 12 sau mai multe 7,63lei
- 28 sau mai multe 7,24lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB020N04NGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 167W
Curent drena: 140A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-7 |
Curent drena | 140A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 40V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |