Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB017N10N5ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122629
-
62,67lei
- Fără TVA:52,67lei
-
- 3 sau mai multe 44,00lei
- 5 sau mai multe 41,66lei
- 250 sau mai multe 40,32lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB017N10N5ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 375W
Curent drena: 180A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-7 |
| Curent drena | 180A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.7mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |