Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB017N06N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122627
-
23,03lei
- Fără TVA:19,35lei
-
- 7 sau mai multe 14,44lei
- 15 sau mai multe 13,67lei
- 500 sau mai multe 13,23lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB017N06N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 250W
Curent drena: 180A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-7 |
Curent drena | 180A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.7mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |