Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB016N06L3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122626
-
26,69lei
- Fără TVA:22,43lei
-
- 5 sau mai multe 22,49lei
- 7 sau mai multe 14,42lei
- 15 sau mai multe 13,65lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB016N06L3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 250W
Curent drena: 180A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-7 |
Curent drena | 180A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.6mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |