Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N08N5ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122625
-
42,11lei
- Fără TVA:35,39lei
-
- 3 sau mai multe 38,61lei
- 5 sau mai multe 37,21lei
- 6 sau mai multe 36,54lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N08N5ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 375W
Curent drena: 180A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-7 |
Curent drena | 180A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.5mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 80V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |