Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB011N04LGATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB011N04LGATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TO263-7

Montare: SMD

Putere disipata: 250W

Curent drena: 180A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-7
Curent drena 180A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.1mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha